Reklama: Chcesz umieścić tutaj reklamę? Zapraszamy do kontaktu »
Faulhaber robotic
Powrót do listy wiadomości Dodano: 2007-01-03  |  Ostatnia aktualizacja: 2007-01-03
Pokonać krzem: tranzystory nowej technologii mogą przyczynić się do rozwoju mikroelektroniki
Pokonać krzem: tranzystory nowej technologii mogą przyczynić się do rozwoju mikroelektroniki
Pokonać krzem: tranzystory nowej technologii mogą przyczynić się do rozwoju mikroelektroniki
Inżynierowie z MIT zaprezentowali technologię, która być może będzie wstępem do kolejnej fazy rewolucji mikroelektronicznej, zapoczątkowanej przez iPody, czy laptopy.

W czym tkwi problem? Otóż przewiduje się, iż w przeciągu najbliższych 15 lat zostanie osiągnięta granica możliwości upakowania i granica możliwości tranzystorów krzemowych a co za tym idzie przestaną nam one wystarczać. Już dziś miliardy tranzystorów pracują na nas każdego dnia w naszych telefonach, laptopach, samochodach, iPodach, kuchniach itd…

Dlatego właśnie profesor Alamo ze swym międzynarodowym zespołem pracuje nad nowymi materiałami i technologiami, które pozwolą przeskoczyć próg możliwości krzemu. „Poszukujemy nowych półprzewodników, które pozwolą poprawić wydajność przy jednoczesnym zminimalizowaniu rozmiarów.” – powiedział Alamo.

Jednym z takich materiałów, w którym profesor Alamo pokłada swe nadzieje jest rodzina półprzewodników znana jako III-V złożone półprzewodniki. W przeciwieństwie do krzemu, jest to materiał kompozytowy. Najbardziej obiecujący jest arsenek indu gallu (InGaAs), materiał, w którym elektrony poruszają się wiele razy szybciej niż w krzemie. W rezultacie możliwa jest produkcja znacznie mniejszych i szybszych tranzystorów.

Grupa profesora Alamo zademonstrowała tranzystor z InGaAs, który może przenosić 2,5 raza większy prąd, niż krzemowy odpowiednik. Większy prąd jest przecież kluczem do szybszego działania. W dodatku InGaAs tranzystor mierzy jedyne 60 nanometrów długości. Jest to wymiar porównywalny od najbardziej zaawansowanych współczesnych tranzystorów krzemowych.

Alamo zaznacza jednak, iż technologia tranzystorów InGaAs jest wciąż w powijakach. Problemem jest choćby masowa produkcja tych elementów, gdyż InGaAs jest znacznie bardziej podatny na uszkodzenia niż krzem. Ale Alamo spodziewa się, iż w ciągu najbliższych dwóch lat gotowe będą prototypy spełniające wszystkie oczekiwania, a najdalej za 10 lat elementy tego typu będą w masowej produkcji.

(lk)

Kategoria wiadomości:

Z życia branży

Źródło:
MIT
urządzenia z xtech

Interesują Cię ciekawostki i informacje o wydarzeniach w branży?
Podaj swój adres e-mail a wyślemy Ci bezpłatny biuletyn.

Komentarze (0)

Możesz być pierwszą osobą, która skomentuje tę wiadomość. Wystarczy, że skorzystasz z formularza poniżej.

Wystąpiły błędy. Prosimy poprawić formularz i spróbować ponownie.
Twój komentarz :

Czytaj także